目前的晶圓都是由硅元素生產制成，已知硅原子的直徑大約是0.22nm，再考慮到原子之間的距離，理論極限               至少是0.5nm，但肯定沒有任何公司可以做到。普遍認為3nm將是芯片制程工藝的極限。

　　事實上自從晶體管制造工藝進入10nm時代之后，繼續提升制程工藝變得原來越困難，特別是Intel在14nm工藝上足足停留了5年之久，因此想要繼續提升芯片性能最好的辦法就是另辟蹊徑。

　　日前，復旦大學科研團隊近日在集成電路基礎研究領域取得一項突破。他們發明了讓單晶體管“一個人干兩個人的活”的新邏輯結構，使晶體管面積縮小50%，存儲計算的同步性也進一步提升。

　　復旦大學微電子學院教授周鵬指出：“這項研究工作的核心內容是利用原子晶體硫化鉬做出了新結構晶體管。在此基礎上，團隊發明了新的單晶體管邏輯結構，在單晶體管上實現了邏輯運算的‘與’和‘或’。”因此原先需要2個獨立晶體管才能實現邏輯功能，現在只要1個晶體管即可。

　　如果該發明成果成功產業化，將推動集成電路向更輕、更快、更小、功耗更低方向發展。相關研究成果已在線發表于《自然?納米技術》。

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首款采用該工藝的產品ART2K0FE是一款2kW的晶體管，其頻率響應為0至650MHz，采用氣腔陶瓷封裝。其設計能夠承受工業、科學和醫療(ISM)應用中常見的最惡劣的條件，可用于驅動大功率CO2激光器、等離子發生器和一些MRI系統。ART器件之所以適用于這些應用，是因為其可以處理65V條件下高達65:1的駐波比(VSWR)失配，而這在CO2激光器和等離子發生器工作時可能碰到。

　　基于ART工藝開發的器件具有很高的阻抗，因此在開發階段更容易將其集成到產品中，并確保在批量生產中具有更高的產品一致性。該工藝還可使所開發的器件比LDMOS競爭產品更加高效。這樣便可通過節省輸入電能，降低發熱，來降低最終應用的運營成本。此外，采用該工藝的器件還可實現更高的功率密度，也就是說，它們可以采用更小、更低成本的封裝，從而減少其電路板占位面積，進而降低系統成本。

　　ART器件還具有高擊穿電壓，有助于確保它們在整個預期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導體還保證這類器件可以供貨15年，從而使產品設計人員可以進行長期規劃。